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GaN功率器件 MB51T008A                                                                                點此索要資料和樣品>> 漏源擊穿電壓 V(BR)DSS 150V 柵極閾值電壓 VGS(th) 1.8V 漏源通態(tài)電阻 RDS(on) 13mΩ 總柵極電荷 Qg 16nC 封裝 WLCSP 【回到頂部】【返回上一頁】