富士通半導(dǎo)體推出可延長電池壽命的小封裝的超低功耗16Kb FeRAM

上海，2012年11月27日 — 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FeRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。

放大

MB85RC16芯片圖

便攜式醫(yī)療設(shè)備和便攜式測(cè)量設(shè)備使用FeRAM有助于延長電池壽命。SON-8封裝使得終端產(chǎn)品更加小型化。這些優(yōu)勢(shì)給客戶帶來了便利。

與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，富士通FeRAM的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在高速存儲(chǔ)、高耐久性和低功耗等方面。富士通FeRAM廣泛應(yīng)用于需要高可靠性的能量表領(lǐng)域。

富士通帶I2C接口的16Kb FeRAM-MB85RC16的一大優(yōu)勢(shì)是低功耗。與競爭對(duì)手的產(chǎn)品相比，其待機(jī)電流和工作電流目前是超低的。尤其是在待機(jī)模式下，平均電流僅為0.1uA，對(duì)于便攜式測(cè)量設(shè)備，待機(jī)時(shí)間更長，這一特性延長了電池壽命。

由于運(yùn)行時(shí)電流也很小，該產(chǎn)品也適用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的可便攜式設(shè)備。與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)EEPROM相比，燒寫時(shí)可降低98%的電流消耗。(圖1)

放大

圖1

     為了滿足電池供電的便攜式應(yīng)用或者移動(dòng)應(yīng)用的低功耗要求，富士通開發(fā)了新的小封裝SON-8，作為MB85RC16的標(biāo)準(zhǔn)封裝陣容。

富士通的FeRAM產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)領(lǐng)域，如計(jì)量、工業(yè)設(shè)備和FA設(shè)備。然而對(duì)于電池供電的便攜式設(shè)備和移動(dòng)設(shè)備，其終端產(chǎn)品越來越小型化，占板面積也有限，所以有進(jìn)一步小型化的要求。

為滿足這一需求，富士通在其超低功耗FeRAM-MB85RC16添加了SON-8封裝。與現(xiàn)有的SOP-8封裝相比，SON-8封裝的占板面積減少了80%。封裝尺寸為3mm x 2mm. (圖2)

放大

圖2

     使用帶SON-8封裝的MB85RC16可延長電池壽命，并使最終產(chǎn)品小型化。