128Kb的鐵電存儲(chǔ)器

FeRAM產(chǎn)品結(jié)合了ROM的非易性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能和RAM的優(yōu)勢(shì)，具有較長(zhǎng)的讀寫次數(shù)、高速讀寫周期和低功耗特點(diǎn)。我們的FeRAM產(chǎn)品線具有多種接口和容量，包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口；工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型；64Kb、128Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb, 8Mb存儲(chǔ)容量所有Ramtron的FeRAM產(chǎn)品具備的3大特點(diǎn)，使其不同于其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)：
快速寫入FeRAM執(zhí)行寫操作的速度和讀操作的速度一樣快。就在總線速度下寫數(shù)據(jù)而言，F(xiàn)eRAM對(duì)寫入的數(shù)據(jù)變成非易失性數(shù)據(jù)并沒有延遲。與基于浮柵技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器5毫秒的數(shù)據(jù)讀寫延時(shí)相比，F(xiàn)eRAM的寫入速度只為幾十納秒，在汽車安全系統(tǒng)應(yīng)用中必不可少。

高耐久性
FeRAM提供較高寫入的耐久性，這就意味著它不存在像其他非易失性存儲(chǔ)器件那樣。對(duì)于采用浮柵技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器而言，存在1E5時(shí)鐘周期的硬故障和無(wú)法寫入，不適合應(yīng)用于高耐久性的應(yīng)用。

低功耗
FeRAM操作無(wú)需(高壓)充電激勵(lì)，因此可以降低功耗。采用浮柵技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器在寫操作過(guò)程中需要高電壓支持，而FeRAM的寫操作只需要本身制造工藝的的電壓：5V，3V或通過(guò)提高工藝使電壓更低。

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